【儀器網(wǎng)  專題推薦】日本的研究組制備了BFCO鈷鐵酸鉍薄膜(部分鐵原子被鈷原子置換的鐵酸鉍)，能夠在室溫中自發(fā)形成面外的磁疇結(jié)構(gòu)。通過納米尺度的磁學(xué)表征和機(jī)電耦合表征，研究者證實(shí)了材料的磁疇能夠被電場翻轉(zhuǎn)。原子力顯微鏡(Atomic Force Microscopy，AFM)觀察多鐵薄膜中的磁疇翻轉(zhuǎn)。

　　基于磁阻效應(yīng)的隨機(jī)存取存儲器(MRAM)以及其它一些新型的磁學(xué)器件，有望成為快速、高密度、長壽命的數(shù)據(jù)存儲解決方案。如果可以通過電場而不是電流來控制磁場，那么此類器件的功耗將能夠被進(jìn)一步降低。然而，實(shí)現(xiàn)電場調(diào)控是非常有挑戰(zhàn)的工作。

　　東京工業(yè)大學(xué)和名古屋工業(yè)大學(xué)的學(xué)者通過具有鐵磁性和鐵電性的BFCO薄膜，在這一領(lǐng)域取得了進(jìn)展。薄膜在鈧酸釓基底上生長，以減小晶格失配導(dǎo)致的應(yīng)力。由此制備的單一晶相的薄膜在室溫下具有自發(fā)形成的面外磁疇。

　　利用原子力顯微鏡(Atomic Force Microscopy，AFM)的磁學(xué)表征和機(jī)電耦合表征技術(shù)，研究團(tuán)隊發(fā)現(xiàn)了材料的面外磁疇方向可以被電場方向所調(diào)控，而不需要施加電流。這表明材料的電疇和磁疇之間存在顯著的耦合作用。

　　這項發(fā)現(xiàn)將有助于開發(fā)具有低功耗的MRAM及其它非易失性磁存儲器件。

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